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F頻段三倍頻放大多功能芯片設(shè)計與實現(xiàn)
關(guān)鍵詞：多功能芯片 f頻段 倍頻器 放大器
摘要：基于InP高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝,研制了一款F頻段三倍頻放大多功能芯片。將三倍頻器與驅(qū)動放大器級聯(lián),實現(xiàn)了F頻段三倍頻放大的單片集成。前端三倍頻器電路由輸入匹配電路、輸入低通濾波電路、并聯(lián)二極管對、輸出高通濾波電路與輸出匹配電路構(gòu)成,通過反向并聯(lián)二極管對實現(xiàn)三次倍頻,在優(yōu)化匹配前后級電路的同時,通過輸入低通濾波器與輸出高通濾波器濾除三次諧波外的基波與各次諧波。后端所級聯(lián)的驅(qū)動放大器采用四級管芯級聯(lián)的雙電源拓撲結(jié)構(gòu)來提高增益及輸出功率。測試結(jié)果表明,輸入頻率為30~47 GHz、輸入功率為15 dBm時,輸出頻率為90~141 GHz,輸出功率大于6 dBm,輸入回波損耗小于-13 dB,輸出回波損耗小于-6 dB。芯片尺寸為4.40 mm×1.60 mm×0.07 mm。
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