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反應(yīng)物濃度誘導(dǎo)CVD SiC結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變
黃東; 王昊; 何雨恬; 王秀連; 劉樺; 鄧暢光; 林松盛; 張明瑜 湖南東映碳材料科技有限公司; 高性能瀝青基碳纖維湖南省工程研究中心; 湖南長沙410083; 廣東省新材料研究所; 現(xiàn)代材料表面工程技術(shù)國家工程實驗室; 廣東省現(xiàn)代表面工程技術(shù)重點實驗室; 廣東廣州510650; 中南大學(xué)粉末冶金國家重點實驗室; 湖南長沙4100831
關(guān)鍵詞：cvd sic 微觀結(jié)構(gòu)
摘要：利用低密度的C/C復(fù)合材料為沉積基體,通過化學(xué)氣相沉積法制備氣相生長SiC,分析并研究了不同沉積位置和反應(yīng)物濃度下氣相生長SiC的微觀形貌和物相組成.結(jié)果表明,隨著反應(yīng)物氣體濃度的降低,多孔C/C復(fù)合材料基體上氣相生長的SiC的微觀結(jié)構(gòu)呈區(qū)域性變化,SiC薄膜依次向SiC薄膜和顆粒、SiC短棒、SiC納米線轉(zhuǎn)變.探討了不同反應(yīng)物濃度氣氛中過飽和度誘導(dǎo)原子遷移和氣相分子吸附的過程,并提出一個SiC的生長模型.
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