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關鍵詞：溫度系數 熱阻 輻射光譜 

摘要：為研究溫度對AlGaN基274nm深紫外LED光電參數的影響.基于自動溫控深紫外光譜分析測量系統的測試結果表明,在25~100℃范圍內該深紫外LED的工作電壓和基板溫度呈負線性關系,溫度系數約為-8.79mV/℃,較大的溫度系數可能來源于深紫外LED中p-AlGaN較低的摻雜濃度.通過瞬態和穩態工作電壓測試及結合溫度系數,計算得到深紫外LED樣品的熱阻為20.8℃/W,該熱阻對應芯片PN結到管殼引腳之間的導熱通道.隨溫度升高,該深紫外LED峰值波長的穩定性和單色性較好.該深紫外LED輻射光譜由UVA、UVB和UVC三種成分組成;隨著溫度升高,UVA和UVC成分減少,UVB成分增加,UVB成分可能來源于器件中低Al組分外延層材料吸收量子阱發光后的二次輻射.研究表明,溫度對深紫外LED的工作電壓、熱阻以及輻射光譜等性能有著重要影響,相關光電參數的準確測量需要精確控溫.

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