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IGBT短路關斷堅固性仿真研究
楊飛; 朱陽軍 中國科學院微電子研究所; 北京100029; 中國科學院大學; 北京100049; 北京芯長征科技有限公司; 北京100026
關鍵詞：絕緣柵雙極性晶體管 短路關斷 堅固性
摘要：隨著IGBT芯片越來越薄和電流增益越來越低，電流集中效應在IGBT短路關斷過程中變得更顯著，尤其是在自夾擠模式下。為了提高IGBT短路關斷過程中的堅固性，文章通過對稱的多元胞電熱耦合仿真的方式研究了IGBT主要的器件參數對IGBT在短路關斷過程中，尤其是在自夾擠模式下的堅固性的影響。結果顯示，有更高摻雜、更寬的漂移區、更低的飽和電流密度和更寬的元胞尺寸可以實現更高的短路關斷堅固性；而且，存在使得短路關斷堅固性最高的電流增益最優值。
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