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關(guān)鍵詞：硅通孔技術(shù) 化學(xué)機(jī)械平坦化 通孔 工藝匹配 

摘要：TSV技術(shù)是實(shí)現(xiàn)集成電路3D封裝互連、降低RC延遲和信號干擾、改善芯片傳輸速度及功耗的有效方法。基于TSV技術(shù)的CMP工藝主要用于通孔大馬士革銅工藝淀積后的正面拋光和晶圓背面TSV結(jié)構(gòu)的暴露及平坦化工藝,分步拋光工藝匹配技術(shù)具有去除速率高、拋光時(shí)間可控、碎片風(fēng)險(xiǎn)小、選擇比低、凹陷及凸起缺陷少等特點(diǎn),銅的去除率大于1000nm/min,銅凹陷小于15nm,平坦化表面粗糙度小于1nm,表面不均勻度小于5%,可滿足TSV工藝技術(shù)中晶圓表面的平坦化需求。

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