購物車(0)
Si光陽極保護層——CN薄膜
杜海紅; 劉志超; 甄聰棉; 李盼 河北師范大學物理科學與信息工程學院; 河北石家莊050024; 河北省新型薄膜材料實驗室; 河北石家莊050024
關鍵詞：cn薄膜 pecvd射頻濺射 三電極測試 光陽極的保護
摘要：采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF-PECVD)技術,以沉積時間和沉積溫度為變量在n-Si(100)襯底上沉積CN薄膜.XRD與傅里葉轉換紅外光譜測試表明,沉積物為CN,其中主要含有Si—C鍵、C—N鍵、CC鍵和CN鍵.紫外測試表明,CN薄膜帶隙值約為3eV,光致發光測試也表明其具有良好的適合的帶隙.從CN薄膜對Si光陽極光解水的保護性能綜合來看,其中沉積時間為60min、沉積溫度為400℃所得到的CN薄膜的保護性能最好,其光電流密度達到51.5mA/cm2,腐蝕電流為2.19μA,光解水性能穩定.
河北師范大學學報·教育科學版雜志要求:
{1}正文公式的序號一律靠右空兩格，用(1)、(2)、(3)等表示。
{2}注意區分“、”號，“，”號，“；”號的規范使用，不得混用。
{3}本刊實行匿名審稿制，凡通過專家匿名審稿并達到刊發標準的文章，在刊發前作者需簽署《論文刊發協議書》。
{4}正文按“前言、資料(對象)與方法、結果、討論”的順序書寫，為一級標題；以下各級小標題按照：一、(一)、１．安排序號。
{5}來稿請附中、英文摘要、中圖分類號和關鍵詞。其中，中文摘要應在200字以上，內容包括研究的目的、方法、結果和結論，要具體詳細，不能空泛而談；英文摘要應有與中文摘要對等的信息量（不少于100個實詞）。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
