購物車(0)
1.55 μm AlGaInAs/InP小發散角量子阱激光器的仿真和制備
熊迪; 郭文濤; 郭小峰; 劉海峰; 廖文淵; 劉維華; 張楊杰; 曹營春; 譚滿清 中國科學院半導體研究所集成光電子國家重點實驗室; 北京100083; 中國科學院大學材料科學與光電工程中心; 北京100083
關鍵詞：銦磷基激光器 發散角 光場分布
摘要：理論仿真和實驗制備了AlGaInAs/InP材料1.55 μm小發散角量子阱激光器.為了擴展近場光場并減小內損耗,將一個非對稱模式擴展層插入到外延結構的下蓋層當中.仿真結果表明,該模式擴展層除了少量增加激光器閾值電流以外,在不影響激光器其它性能的情況下能顯著減小激光器的垂直遠場發散角.實驗結果與理論仿真高度吻合.成功制備出脊寬4 μm,腔長1 000 μm的脊波導小發散角激光器.在端面未鍍膜的情況下,該激光器閾值電流為56 mA,輸出功率為17.38 mw@120 mA,斜率效率可以達到0.272 W/A.實驗測得垂直遠場發散角為29.6°,相比較傳統激光器減小了約35.3%.
紅外與毫米波學報雜志要求:
{1}正文段落層次號一律使用阿拉伯數字（不出現前言、引言等之內的層次），頂行書寫，層次號后空一格，一級標題前空一行。
{2}注釋為對文章某一特定內容的解釋或說明，均以腳注形式分散標注于正文頁面下方，其序號為①②③……，每頁重新編號，注釋文字與標點應與正文一致。
{3}摘要中如采用非標準的術語、縮寫詞和符號等，均應在首次出現時予以說明。
{4}作者簡介包括：姓名、性別、出生年月、畢業學校及所學專業、工作單位、職務職稱、現從事的研究工作、已發表論文或專著情況。
{5}參考文獻：按國家標準《文后參考文獻著錄規則》（GBT7714—2005）書寫。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
