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2~18GHz超寬帶低噪聲放大器芯片研制
文曉敏; 李斌 中國科學院上海天文臺; 上海200030; 中國科學院大學; 北京100049
關鍵詞：低噪聲放大器 gaas mhemt 超寬帶 單片微波集成電路
摘要：低噪聲放大器在射電天文望遠鏡接收機中是一個重要的前端組件,其性能對接收機的靈敏度和噪聲有至關重要的影響。采用OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工藝研究和設計了一款工作頻率為2~18 GHz的超寬帶單片微波集成低噪聲放大器芯片,芯片面積為2 mm×1 mm。放大器電路采用三級級聯放大、雙電源供電拓撲結構,常溫在片測試結果顯示,全頻帶增益大于28 dB,噪聲溫度平均值為93 K,直流功耗150 mW,無條件穩定。該放大器芯片覆蓋了射電天文S,C,X,Ku 4個傳統觀測波段,適用于厘米波段超寬帶接收前端和毫米波段超寬帶中頻放大模塊。
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