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一種基于CMOS工藝的抗輻照A/D轉換器
陳良; 劉濤; 雷郎成; 胡永貴; 王育新 中國電子科技集團公司第二十四研究所; 重慶400060
關鍵詞：輻射加固 總劑量輻射 單粒子鎖定
摘要：空間輻射對電子系統的損傷是航天設備發生故障的重要因素。A/D轉換器是航天電子系統的關鍵器件之一,其抗輻射性能將直接影響航天設備的整體性能。基于標準0.35μm CMOS工藝,設計了一種流水線型14位A/D轉換器,從總體架構、關鍵核心單元、版圖等方面進行抗輻照設計。輻照測試結果表明,該A/D轉換器的抗總劑量能力達到1.0 kGy(Si),抗單粒子閉鎖閾值達到37 MeV·cm~2/mg,滿足宇航電子系統的應用要求。
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