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一種EFlash高壓自校準電路
孫銘陽; 鄭曉; 郭桂良 中國科學院大學; 北京100029; 中芯國際集成電路制造有限公司; 上海201203; 中國科學院微電子研究所; 北京100029
關鍵詞：嵌入式閃存 高壓 ate 自校準 高效
摘要：嵌入式閃存(Embedded Flash,EFlash)內部高壓的準確性對其讀取、編程和擦除的有效性至關重要.為了EFlash IP的高壓誤差盡可能小,電路預留了可調接口用于調整內部高壓的數值.通過提出自動檢測的算法和設計集自動化檢測和校準一體的自測電路,達到快速校準高壓的目的.實驗以一個2 M存儲容量的EFlash為對象,實現校準時間從3 s到30 ms的減少.
微電子學與計算機雜志要求:
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