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HSQ用于電子束曝光的性能分析
趙珉 陳寶欽 劉明 謝常青 朱效立 中國科學院微電子研究所納米加工與新器件集成技術實驗室 北京100029
關鍵詞：電子束曝光技術 抗蝕劑工藝 鄰近效應
摘要：作為一種非化學放大的無機負性電子束光刻抗蝕劑，HSQ（hydrogen silsesquioxane）具有極高的分辨率（約5nm），由于靈敏度較低，限制了其在微納米加工方面的應用。從化學結構變化的角度分析了HSQ在電子束曝光中的性能，通過實驗驗證了其靈敏度及對比度受前烘溫度及顯影液濃度的影響較大，并且其在電子柬曝光中的鄰近效應也可以通過改變這兩個條件而得到一定的抑制。根據所得優化工藝條件，在450nm膠層上，制作出100nm等間距光柵結構膠層圖形，且其側壁陡直性良好。
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