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碳化硅納米線拉伸斷裂及斷裂表面接觸的分子動力學模擬
姜海越; 張振宇; 黃思玲 大連理工大學精密與特種加工教育部重點實驗室; 遼寧大連116024
關鍵詞：sic納米線 分子動力學模擬 重新鍵合 勢能
摘要：一維納米材料的自愈合對于工業應用有著重要的意義,而晶體SiC納米線則是一種擁有優異性能一維納米材料.基于分子動力學方法,采用Tersoff勢函數,對半徑25(A),長150(A)的晶體SiC納米線進行拉伸模擬,提取單個Si原子的位置和勢能變化,發現原子斷鍵后會形成懸鍵,并觀察到了重新鍵合的現象;之后使納米線完成了斷裂表面的接觸,發現了C-Si和Si-Si原子對間重新鍵合的現象,得到了自愈合后的納米線.通過對單原子的勢能變化進行分析,發現重新鍵合后的原子勢能會降低,而系統為了達到穩定狀態,會將懸鍵的勢能驅動到最低,重新鍵合則是達到該狀態的最有效路徑,SiC納米線也因此完成了自愈合.
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