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NHEJ通路相關(guān)基因在電離輻射所致腦損傷中的表達(dá)情況研究
關(guān)鍵詞：電離輻射 xrcc4基因 xrcc5基因 xrcc6基因 dna雙鏈斷裂修復(fù)
摘要：目的通過對(duì)大鼠頭部進(jìn)行不同劑量的照射,研究NHEJ通路相關(guān)基因在電離輻射所致腦損傷中的表達(dá)情況。方法利用醫(yī)用電子加速器裝置對(duì)SD大鼠分別進(jìn)行10 Gy、20 Gy、30 Gy的照射,并于照后30天提取動(dòng)物海馬組織中的總RNA;30 Gy照射組在照后6 h、24 h、72 h、7天、30天五個(gè)不同時(shí)間點(diǎn)提取動(dòng)物海馬組織中的總RNA。使用實(shí)時(shí)熒光定量PCR技術(shù)對(duì)NHEJ通路中的XRCC4、XRCC5和XRCC6基因的表達(dá)情況進(jìn)行研究。結(jié)果經(jīng)照射大鼠海馬組織中與DNA修復(fù)相關(guān)的基因XRCC4、XRCC5和XRCC6表達(dá)均有所上調(diào);20 Gy組XRCC4、XRCC5和XRCC6基因的表達(dá)量較10 Gy和30 Gy組高;XRCC4基因在照后7天表達(dá)量達(dá)到最高,而XRCC5和XRCC6基因在照后6 h達(dá)到最高,XRCC4、XRCC5和XRCC6基因表達(dá)量均在照后30天達(dá)到最低。結(jié)論通過本項(xiàng)目研究發(fā)現(xiàn)NHEJ通路中與DNA損傷修復(fù)有關(guān)基因XRCC4、XRCC5、XRCC6在電離輻射所致腦損傷照射不同劑量點(diǎn)及照后不同時(shí)間點(diǎn)均上調(diào)表達(dá),說明在10、20、30 Gy照射和電離輻射后6 h、24 h、72 h、7天、30天五個(gè)不同時(shí)間點(diǎn)機(jī)體均通過NHEJ通路進(jìn)行DNA雙鏈修復(fù),且在照后6h和第7天修復(fù)能力最強(qiáng)。
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